STSJ60NH3LL
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- 制造商编号：
- STSJ60NH3LL
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥31.309321 | ￥31.31 |
| 10 | ￥28.164221 | ￥281.64 |
| 25 | ￥26.566171 | ￥664.15 |
| 100 | ￥20.719404 | ￥2071.94 |
| 250 | ￥20.188136 | ￥5047.03 |
| 500 | ￥17.531804 | ￥8765.90 |
| 1000 | ￥14.87547 | ￥14875.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STSJ60NH3LL
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
STripFET™
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5.7mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
24nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1810pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3W (Ta), 50W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SOIC-EP
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
STSJ60NH3LL 同类别型号
注
STSJ60NH3LL品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、STSJ60NH3LL
数据手册PDF。
STSJ60NH3LL
型号：STSJ60NH3LL
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥31.309321 |
| 10+： | ￥28.164221 |
| 25+： | ￥26.566171 |
| 100+： | ￥20.719404 |
| 250+： | ￥20.188136 |
| 500+： | ￥17.531804 |
| 1000+： | ￥14.87547 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥31.31