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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 74.5 A
漏源电阻 12.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 83.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15.7 ns
上升时间 8.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35.9 ns
典型接通延迟时间 4.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMT6009LJ3
型号:DMT6009LJ3
品牌:DIODES
供货:锐单
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