
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.032584 | ¥18.03 |
| 10 | ¥11.289307 | ¥112.89 |
| 100 | ¥7.425182 | ¥742.52 |
| 500 | ¥5.763458 | ¥2881.73 |
| 1000 | ¥5.22854 | ¥5228.54 |
| 2000 | ¥4.778483 | ¥9556.97 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 150 V
漏极电流 1.9 A
漏源电阻 280 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7465TRPBF SP001555398
单位重量 540 mg
购物车
0IRF7465TRPBF
型号:IRF7465TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥18.032584 |
| 10+: | ¥11.289307 |
| 100+: | ¥7.425182 |
| 500+: | ¥5.763458 |
| 1000+: | ¥5.22854 |
| 2000+: | ¥4.778483 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.03