
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥15.978651 | ¥15.98 |
| 50 | ¥12.819478 | ¥640.97 |
| 100 | ¥10.547679 | ¥1054.77 |
| 500 | ¥8.924932 | ¥4462.47 |
| 1000 | ¥7.572701 | ¥7572.70 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导(Min) 42 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 43 ns
典型接通延迟时间 27 ns
高度 9.15 mm
长度 10.66 mm
宽度 4.82 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXTP60N10T
型号:IXTP60N10T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥15.978651 |
| 50+: | ¥12.819478 |
| 100+: | ¥10.547679 |
| 500+: | ¥8.924932 |
| 1000+: | ¥7.572701 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.98