货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.618355 | ¥24.62 |
10 | ¥22.086182 | ¥220.86 |
100 | ¥18.098711 | ¥1809.87 |
500 | ¥15.406871 | ¥7703.44 |
1000 | ¥13.535172 | ¥13535.17 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 210 A
漏源电阻 3.4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 130 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 64 ns
正向跨导(Min) 88 S
上升时间 77 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3256PBF SP001577830
单位重量 2 g
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0IRFB3256PBF
型号:IRFB3256PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.618355 |
10+: | ¥22.086182 |
100+: | ¥18.098711 |
500+: | ¥15.406871 |
1000+: | ¥13.535172 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥24.62