SIRA84BDP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIRA84BDP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V PP SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.778385 | ￥5.78 |
| 10 | ￥4.946298 | ￥49.46 |
| 100 | ￥3.697012 | ￥369.70 |
| 500 | ￥2.904448 | ￥1452.22 |
| 1000 | ￥2.244442 | ￥2244.44 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 70 A
漏源电阻 7.1 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 20.7 nC
耗散功率 36 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 10 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SIRA84BDP-T1-GE3 同类别型号
注
SIRA84BDP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SIRA84BDP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIRA84BDP-T1-GE3
型号：SIRA84BDP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.778385 |
| 10+： | ￥4.946298 |
| 100+： | ￥3.697012 |
| 500+： | ￥2.904448 |
| 1000+： | ￥2.244442 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.78