货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥0.85789 | ¥0.86 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, SBD
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel, SBD
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6H19NU,LF
型号:SSM6H19NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥0.85789 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.86