
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.925281 | ¥8.93 |
| 10 | ¥7.650241 | ¥76.50 |
| 25 | ¥7.140226 | ¥178.51 |
| 100 | ¥5.304168 | ¥530.42 |
| 250 | ¥5.038958 | ¥1259.74 |
| 500 | ¥4.141331 | ¥2070.67 |
| 1000 | ¥3.366106 | ¥3366.11 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 7.8 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 10 nC
耗散功率 4 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 21 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 1.1 mm
长度 3.05 mm
宽度 1.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
购物车
0SQ3456BEV-T1_GE3
型号:SQ3456BEV-T1_GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.925281 |
| 10+: | ¥7.650241 |
| 25+: | ¥7.140226 |
| 100+: | ¥5.304168 |
| 250+: | ¥5.038958 |
| 500+: | ¥4.141331 |
| 1000+: | ¥3.366106 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.93