
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.576716 | ¥7.58 |
| 10 | ¥4.667259 | ¥46.67 |
| 100 | ¥2.965527 | ¥296.55 |
| 500 | ¥2.225736 | ¥1112.87 |
| 1000 | ¥1.986615 | ¥1986.62 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, SBD
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 160 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.2 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel, SBD
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6H19NU,LF
型号:SSM6H19NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.576716 |
| 10+: | ¥4.667259 |
| 100+: | ¥2.965527 |
| 500+: | ¥2.225736 |
| 1000+: | ¥1.986615 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.58