
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥12.327106 | ¥12.33 |
| 50 | ¥9.777376 | ¥488.87 |
| 100 | ¥8.380516 | ¥838.05 |
| 500 | ¥8.196951 | ¥4098.48 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 211 A
漏源电阻 2.85 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 111 nC
耗散功率 263 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 31 ns
正向跨导(Min) 168 S
上升时间 44 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 71 ns
典型接通延迟时间 38 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 FDP032N08B_F102
单位重量 2 g
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0FDP032N08B-F102
型号:FDP032N08B-F102
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥12.327106 |
| 50+: | ¥9.777376 |
| 100+: | ¥8.380516 |
| 500+: | ¥8.196951 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.33