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MMDF3N02HDR2

ROCHESTER(罗彻斯特电子)
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制造商编号:
MMDF3N02HDR2
制造商:
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
N-CHANNEL POWER MOSFET
渠道:
digikey

库存 :16032

货期:(7~10天)

起订量:452

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
452 8.224074 3717.28

规格参数

属性
参数值

制造商型号

MMDF3N02HDR2

制造商

ROCHESTER(罗彻斯特电子)

商品描述

N-CHANNEL POWER MOSFET

包装

Bulk

系列

-

零件状态

Obsolete

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

3.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

90mOhm @ 3A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

18nC @ 10V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

630pF @ 16V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

2W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

8-SOIC

封装/外壳

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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型号:MMDF3N02HDR2

品牌:ROCHESTER

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