MMDF3N02HDR2G
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- 制造商编号：
- MMDF3N02HDR2G
- 制造商：
- ROCHESTER(罗彻斯特电子)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥7.916741 | ￥7.92 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
MMDF3N02HDR2G
制造商
ROCHESTER(罗彻斯特电子)
商品描述
N-CHANNEL POWER MOSFET
包装
Bulk
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 3A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
18nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
630pF @ 16V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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注
MMDF3N02HDR2G品牌厂家：ROCHESTER
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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MMDF3N02HDR2G
型号：MMDF3N02HDR2G
品牌：ROCHESTER
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥7.916741 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥7.92