
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.638089 | ¥13.64 |
| 10 | ¥8.516228 | ¥85.16 |
| 100 | ¥5.534035 | ¥553.40 |
| 500 | ¥4.247205 | ¥2123.60 |
| 1000 | ¥3.832455 | ¥3832.45 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 49 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
湿度敏感性 Yes
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD60R1K5CE SP001396902
单位重量 330 mg
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0IPD60R1K5CEAUMA1
型号:IPD60R1K5CEAUMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.638089 |
| 10+: | ¥8.516228 |
| 100+: | ¥5.534035 |
| 500+: | ¥4.247205 |
| 1000+: | ¥3.832455 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.64