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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥20.39576 | ¥20.40 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
产品 OptiMOS Power
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 66 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 17 ns
高度 9.45 mm
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 OptiMOS 3 Power-Transistor
零件号别名 IPI029N06N SP000962134
单位重量 2.387 g
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0IPI029N06NAKSA1
型号:IPI029N06NAKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥20.39576 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.40