SQM60N20-35_GE3
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- 制造商编号：
- SQM60N20-35_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 200V 60A TO263
- 渠道：
- digikey
库存 ：639
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥40.517945 | ￥40.52 |
| 10 | ￥36.409482 | ￥364.09 |
| 25 | ￥34.426085 | ￥860.65 |
| 100 | ￥27.540869 | ￥2754.09 |
| 250 | ￥26.010821 | ￥6502.71 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 28 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 135 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
正向跨导（Min） 67 S
上升时间 40 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 35 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
SQM60N20-35_GE3 同类别型号
注
SQM60N20-35_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQM60N20-35_GE3
数据手册PDF。
SQM60N20-35_GE3
型号：SQM60N20-35_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：639 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥40.517945 |
| 10+： | ￥36.409482 |
| 25+： | ￥34.426085 |
| 100+： | ￥27.540869 |
| 250+： | ￥26.010821 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥40.52