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制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 400 mA
漏源电阻 1.3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 10 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 31.7 ns
典型接通延迟时间 4.3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 12 mg
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0SSM3J168F,LF
型号:SSM3J168F,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
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