STL4P3LLH6
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- 制造商编号：
- STL4P3LLH6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
- 渠道：
- digikey
库存 ：56
货期：（7~10天）
起订量：58
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 58 | ￥3.275113 | ￥189.96 |
| 100 | ￥3.138726 | ￥313.87 |
| 300 | ￥3.002338 | ￥900.70 |
| 500 | ￥2.865786 | ￥1432.89 |
| 1000 | ￥2.729398 | ￥2729.40 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STL4P3LLH6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
DeepGATE™, STripFET™ H6
零件状态
Active
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
56mOhm @ 2A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
639pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W (Ta)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerFlat™ (2x2)
封装/外壳
6-PowerWDFN
STL4P3LLH6 同类别型号
注
STL4P3LLH6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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数据手册PDF。
STL4P3LLH6
型号：STL4P3LLH6
品牌：ST
供货：锐单
库存：56 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 58+： | ￥3.275113 |
| 100+： | ￥3.138726 |
| 300+： | ￥3.002338 |
| 500+： | ￥2.865786 |
| 1000+： | ￥2.729398 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00