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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 3.1 A
漏源电阻 1.5 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9.4 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0IPD60R1K5CEATMA1
型号:IPD60R1K5CEATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
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