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BSS127SSN-7

DIODES(美台)
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制造商编号:
BSS127SSN-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 600V 50MA SC59
渠道:
digikey

库存 :9937

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 5.682043 5.68
10 4.285207 42.85
100 2.668193 266.82
500 1.82583 912.92
1000 1.40453 1404.53

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 600 V

漏极电流 50 mA

漏源电阻 160 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 4.5 V

栅极电荷 1.08 nC

耗散功率 610 mW

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 168 ns

上升时间 7.2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 28.7 ns

典型接通延迟时间 5 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 8 mg

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BSS127SSN-7

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型号:BSS127SSN-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:9937 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥5.682043
10+: ¥4.285207
100+: ¥2.668193
500+: ¥1.82583
1000+: ¥1.40453

货期:7-10天

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