货期:(7~10天)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥5.799918 | ¥14499.80 |
5000 | ¥5.272686 | ¥26363.43 |
12500 | ¥5.029272 | ¥62865.90 |
25000 | ¥4.867038 | ¥121675.95 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 46.8 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH8012LK3Q-13
型号:DMTH8012LK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥5.799918 |
5000+: | ¥5.272686 |
12500+: | ¥5.029272 |
25000+: | ¥4.867038 |
货期:7-10天
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