货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥30.55314 | ¥30.55 |
10 | ¥27.4347 | ¥274.35 |
100 | ¥22.048762 | ¥2204.88 |
500 | ¥18.115488 | ¥9057.74 |
1000 | ¥15.009925 | ¥15009.93 |
2000 | ¥13.97478 | ¥27949.56 |
5000 | ¥13.457143 | ¥67285.71 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB11N50APBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFB11N50APBF
型号:IRFB11N50APBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥30.55314 |
10+: | ¥27.4347 |
100+: | ¥22.048762 |
500+: | ¥18.115488 |
1000+: | ¥15.009925 |
2000+: | ¥13.97478 |
5000+: | ¥13.457143 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.55