
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥35.031481 | ¥35.03 |
| 10 | ¥31.455954 | ¥314.56 |
| 100 | ¥25.280568 | ¥2528.06 |
| 500 | ¥20.770773 | ¥10385.39 |
| 1000 | ¥17.210011 | ¥17210.01 |
| 2000 | ¥16.023139 | ¥32046.28 |
| 5000 | ¥15.42963 | ¥77148.15 |
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 520 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 52 nC
耗散功率 170 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
上升时间 35 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns
典型接通延迟时间 14 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB11N50APBF-BE3
单位重量 2 g
购物车
0IRFB11N50APBF
型号:IRFB11N50APBF
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥35.031481 |
| 10+: | ¥31.455954 |
| 100+: | ¥25.280568 |
| 500+: | ¥20.770773 |
| 1000+: | ¥17.210011 |
| 2000+: | ¥16.023139 |
| 5000+: | ¥15.42963 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥35.03