
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.287053 | ¥13.29 |
| 10 | ¥11.50116 | ¥115.01 |
| 100 | ¥7.957945 | ¥795.79 |
| 500 | ¥6.649243 | ¥3324.62 |
| 1000 | ¥5.658857 | ¥5658.86 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 7.5 nC
耗散功率 22 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD80R2K4P7 SP001644284
单位重量 360 mg
购物车
0IPD80R2K4P7ATMA1
型号:IPD80R2K4P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.287053 |
| 10+: | ¥11.50116 |
| 100+: | ¥7.957945 |
| 500+: | ¥6.649243 |
| 1000+: | ¥5.658857 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.29