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数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥8.882209 | ¥8.88 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 26.7 A
漏源电阻 440 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPAW60R190CE SP001391612
单位重量 2 g
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0IPAW60R190CEXKSA1
型号:IPAW60R190CEXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.882209 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.88