货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.701182 | ¥6.70 |
10 | ¥5.671186 | ¥56.71 |
100 | ¥3.942529 | ¥394.25 |
500 | ¥3.078572 | ¥1539.29 |
1000 | ¥2.502396 | ¥2502.40 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 0.12 us
典型接通延迟时间 0.06 us
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 RF Small Signal MOSFET
单位重量 12 mg
购物车
02SK2009TE85LF
型号:2SK2009TE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.701182 |
10+: | ¥5.671186 |
100+: | ¥3.942529 |
500+: | ¥3.078572 |
1000+: | ¥2.502396 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.70