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| 数量 | 价格 | 总计 |
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| 1+ : 需询价 | ||
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8.3 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9.5 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 540 mg
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0IRF7807VTRPBF
型号:IRF7807VTRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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