
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥7.683411 | ¥7.68 |
| 10 | ¥6.502443 | ¥65.02 |
| 100 | ¥4.520408 | ¥452.04 |
| 500 | ¥3.529815 | ¥1764.91 |
| 1000 | ¥2.869185 | ¥2869.18 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 -
耗散功率 200 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
正向跨导(Min) 100 mS
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 0.12 us
典型接通延迟时间 0.06 us
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 RF Small Signal MOSFET
单位重量 12 mg
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02SK2009TE85LF
型号:2SK2009TE85LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥7.683411 |
| 10+: | ¥6.502443 |
| 100+: | ¥4.520408 |
| 500+: | ¥3.529815 |
| 1000+: | ¥2.869185 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥7.68