SISS06DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS06DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212
- 渠道：
- digikey
库存 ：5395
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.637224 | ￥15.64 |
| 10 | ￥12.794092 | ￥127.94 |
| 100 | ￥9.94954 | ￥994.95 |
| 500 | ￥8.433866 | ￥4216.93 |
| 1000 | ￥6.870143 | ￥6870.14 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 172.6 A
漏源电阻 1.38 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 77 nC
耗散功率 65.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导（Min） 95 S
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 13 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 488.500 mg
SISS06DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS06DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS06DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS06DN-T1-GE3
型号：SISS06DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：5395 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥15.637224 |
| 10+： | ￥12.794092 |
| 100+： | ￥9.94954 |
| 500+： | ￥8.433866 |
| 1000+： | ￥6.870143 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.64