IRF7606TR
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF7606TR
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥11.19202 | ￥11.19 |
| 10 | ￥9.166122 | ￥91.66 |
| 25 | ￥8.624939 | ￥215.62 |
| 100 | ￥8.02992 | ￥802.99 |
| 250 | ￥7.759045 | ￥1939.76 |
| 500 | ￥7.542287 | ￥3771.14 |
| 1000 | ￥7.433626 | ￥7433.63 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRF7606TR
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
HEXFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
P-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
3.6A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
90mOhm @ 2.4A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
30nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
520pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
Micro8™
封装/外壳
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
IRF7606TR 同类别型号
注
IRF7606TR品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、IRF7606TR
数据手册PDF
。
IRF7606TR
型号：IRF7606TR
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥11.19202 |
| 10+： | ￥9.166122 |
| 25+： | ￥8.624939 |
| 100+： | ￥8.02992 |
| 250+： | ￥7.759045 |
| 500+： | ￥7.542287 |
| 1000+： | ￥7.433626 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥11.19