SI2316BDS-T1-E3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2316BDS-T1-E3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.315494 | ￥3946.48 |
| 6000 | ￥1.183945 | ￥7103.67 |
| 15000 | ￥1.096245 | ￥16443.67 |
| 30000 | ￥1.078706 | ￥32361.18 |
| 75000 | ￥1.052396 | ￥78929.70 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SI2316BDS-T1-E3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT-23
包装
Tape & Reel (TR)
Alternate Packaging
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
50mOhm @ 3.9A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
9.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
350pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.25W (Ta), 1.66W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
SOT-23-3 (TO-236)
封装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2316BDS-T1-E3 同类别型号
注
SI2316BDS-T1-E3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
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数据手册PDF。
SI2316BDS-T1-E3
型号：SI2316BDS-T1-E3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.315494 |
| 6000+： | ￥1.183945 |
| 15000+： | ￥1.096245 |
| 30000+： | ￥1.078706 |
| 75000+： | ￥1.052396 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00