RCD100N19TL
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- RCD100N19TL
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
- 渠道：
- digikey
库存 ：1108
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥16.79168 | ￥16.79 |
| 10 | ￥13.706988 | ￥137.07 |
| 100 | ￥10.658365 | ￥1065.84 |
| 500 | ￥9.034172 | ￥4517.09 |
| 1000 | ￥7.359235 | ￥7359.23 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
RCD100N19TL
制造商
ROHM(罗姆)
商品描述
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
包装
Cut Tape (CT)
Alternate Packaging
系列
-
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
190V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
182mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
52nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
850mW (Ta), 20W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
CPT3
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RCD100N19TL 同类别型号
注
RCD100N19TL品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、RCD100N19TL
数据手册PDF。
RCD100N19TL
型号：RCD100N19TL
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：1108 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥16.79168 |
| 10+： | ￥13.706988 |
| 100+： | ￥10.658365 |
| 500+： | ￥9.034172 |
| 1000+： | ￥7.359235 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥16.79