
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥1.272927 | ¥3818.78 |
| 6000 | ¥1.205946 | ¥7235.68 |
| 9000 | ¥1.11662 | ¥10049.58 |
| 30000 | ¥1.105535 | ¥33166.05 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 110 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8425DB-T1-E1
型号:SI8425DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥1.272927 |
| 6000+: | ¥1.205946 |
| 9000+: | ¥1.11662 |
| 30000+: | ¥1.105535 |
货期:1-2天
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