
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.143679 | ¥8.14 |
| 10 | ¥7.029282 | ¥70.29 |
| 100 | ¥4.870492 | ¥487.05 |
| 500 | ¥4.069269 | ¥2034.63 |
| 1000 | ¥3.463207 | ¥3463.21 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 110 nC
耗散功率 2.7 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
高度 0.65 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 45.104 mg
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0SI8425DB-T1-E1
型号:SI8425DB-T1-E1
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.143679 |
| 10+: | ¥7.029282 |
| 100+: | ¥4.870492 |
| 500+: | ¥4.069269 |
| 1000+: | ¥3.463207 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.14