货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥15.409391 | ¥15.41 |
10 | ¥13.46759 | ¥134.68 |
30 | ¥13.117566 | ¥393.53 |
100 | ¥12.759208 | ¥1275.92 |
500 | ¥12.600864 | ¥6300.43 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 200 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 290 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
正向跨导(Min) 8 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 50 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0IXFP18N65X2
型号:IXFP18N65X2
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
1+: | ¥15.409391 |
10+: | ¥13.46759 |
30+: | ¥13.117566 |
100+: | ¥12.759208 |
500+: | ¥12.600864 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.41