货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.557019 | ¥4671.06 |
6000 | ¥1.47509 | ¥8850.54 |
9000 | ¥1.365827 | ¥12292.44 |
30000 | ¥1.352268 | ¥40568.04 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2307BDS-GE3
单位重量 8 mg
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0SI2307BDS-T1-GE3
型号:SI2307BDS-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.557019 |
6000+: | ¥1.47509 |
9000+: | ¥1.365827 |
30000+: | ¥1.352268 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00