SI2307BDS-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- SI2307BDS-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
- 渠道：
- digikey
库存 ：4349
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.719938 | ￥8.72 |
| 10 | ￥7.526683 | ￥75.27 |
| 100 | ￥5.215135 | ￥521.51 |
| 500 | ￥4.357217 | ￥2178.61 |
| 1000 | ￥3.708268 | ￥3708.27 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 2.5 A
漏源电阻 78 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 750 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
正向跨导（Min） 5 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 9 ns
外形参数
高度 1.45 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI2307BDS-GE3
单位重量 8 mg
SI2307BDS-T1-GE3 同类别型号
注
SI2307BDS-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI2307BDS-T1-GE3
数据手册PDF。
SI2307BDS-T1-GE3
型号：SI2307BDS-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：4349 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.719938 |
| 10+： | ￥7.526683 |
| 100+： | ￥5.215135 |
| 500+： | ￥4.357217 |
| 1000+： | ￥3.708268 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.72