
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥19.412996 | ¥19.41 |
| 10 | ¥17.449823 | ¥174.50 |
| 100 | ¥14.295074 | ¥1429.51 |
| 500 | ¥12.169269 | ¥6084.63 |
| 1000 | ¥10.263242 | ¥10263.24 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 17 A
漏源电阻 159 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 144 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 10 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 57 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP190N65S3
型号:FCP190N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥19.412996 |
| 10+: | ¥17.449823 |
| 100+: | ¥14.295074 |
| 500+: | ¥12.169269 |
| 1000+: | ¥10.263242 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.41