DMN2005UFG-7
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- 制造商编号：
- DMN2005UFG-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 20V 18.1A POWERDI-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：8612
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥8.783609 | ￥8.78 |
| 10 | ￥7.777744 | ￥77.78 |
| 100 | ￥5.96152 | ￥596.15 |
| 500 | ￥4.712549 | ￥2356.27 |
| 1000 | ￥3.770009 | ￥3770.01 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 18.1 A
漏源电阻 8.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 68.8 nC
耗散功率 2.27 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 38 ns
上升时间 25.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 114 ns
典型接通延迟时间 12.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
DMN2005UFG-7 同类别型号
注
DMN2005UFG-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMN2005UFG-7
数据手册PDF
。
DMN2005UFG-7
型号：DMN2005UFG-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：8612 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥8.783609 |
| 10+： | ￥7.777744 |
| 100+： | ￥5.96152 |
| 500+： | ￥4.712549 |
| 1000+： | ￥3.770009 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥8.78