TK099V65Z,LQ
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- TK099V65Z,LQ
- 制造商：
- Toshiba(东芝)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DFN
- 渠道：
- digikey
库存 ：5
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥25.044096 | ￥25.04 |
规格参数
关键信息
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 99 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 47 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 50 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
TK099V65Z,LQ 同类别型号
注
TK099V65Z,LQ品牌厂家：Toshiba
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、TK099V65Z,LQ
数据手册PDF。
TK099V65Z,LQ
型号：TK099V65Z,LQ
品牌：Toshiba
供货：锐单
库存：5 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥25.044096 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥25.04