货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥4.816791 | ¥24083.96 |
10000 | ¥4.631538 | ¥46315.38 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 130 A
漏源电阻 1.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 33 nC
耗散功率 50 W
通道模式 Enhancement
下降时间 3 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC0501NSI SP001288140
单位重量 115.630 mg
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0BSC0501NSIATMA1
型号:BSC0501NSIATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥4.816791 |
10000+: | ¥4.631538 |
货期:1-2天
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