货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.834741 | ¥13.83 |
10 | ¥11.485718 | ¥114.86 |
100 | ¥9.139576 | ¥913.96 |
500 | ¥7.733188 | ¥3866.59 |
1000 | ¥6.561558 | ¥6561.56 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 6.2 A
漏源电阻 680 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.7 V
栅极电荷 12 nC
耗散功率 60 W
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 18 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 55 ns
典型接通延迟时间 40 ns
高度 6.1 mm
长度 6.65 mm
宽度 2.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0TK6Q60W,S1VQ
型号:TK6Q60W,S1VQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.834741 |
10+: | ¥11.485718 |
100+: | ¥9.139576 |
500+: | ¥7.733188 |
1000+: | ¥6.561558 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.83