货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.440781 | ¥11.44 |
10 | ¥10.2538 | ¥102.54 |
100 | ¥7.996392 | ¥799.64 |
500 | ¥6.605479 | ¥3302.74 |
1000 | ¥5.214852 | ¥5214.85 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 11.1 A
漏源电阻 330 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 25 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15 mm
长度 10 mm
宽度 4.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0TK11A65W,S5X
型号:TK11A65W,S5X
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.440781 |
10+: | ¥10.2538 |
100+: | ¥7.996392 |
500+: | ¥6.605479 |
1000+: | ¥5.214852 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥11.44