DMJ70H600SH3
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- DMJ70H600SH3
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251
- 渠道：
- digikey
库存 ：1000
货期：（7~10天）
起订量：75
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 75 | ￥18.095767 | ￥1357.18 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 700 V
漏极电流 11 A
漏源电阻 500 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 18.2 nC
耗散功率 113 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 23 ns
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 85 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
DMJ70H600SH3 同类别型号
注
DMJ70H600SH3品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMJ70H600SH3
数据手册PDF。
DMJ70H600SH3
型号：DMJ70H600SH3
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：1000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 75+： | ￥18.095767 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00