IXFT18N100Q3
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- 制造商编号：
- IXFT18N100Q3
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：30
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 30 | ￥163.66789 | ￥4910.04 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 18 A
漏源电阻 660 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 830 W
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 37 nS
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6.500 g
IXFT18N100Q3 同类别型号
注
IXFT18N100Q3品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXFT18N100Q3
数据手册PDF。
IXFT18N100Q3
型号：IXFT18N100Q3
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 30+： | ￥163.66789 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00