IRFB11N50APBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFB11N50APBF
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- PLANAR >= 100V
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.45718 | ￥14.46 |
| 10 | ￥12.981592 | ￥129.82 |
| 100 | ￥10.433066 | ￥1043.31 |
| 500 | ￥8.571913 | ￥4285.96 |
| 1000 | ￥7.102418 | ￥7102.42 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
IRFB11N50APBF
制造商
INFINEON(英飞凌)
商品描述
PLANAR >= 100V
包装
-
系列
HEXFET®
零件状态
Not For New Designs
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
520mOhm @ 6.6A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
52nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1423pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
IRFB11N50APBF 同类别型号
注
IRFB11N50APBF品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IRFB11N50APBF
数据手册PDF。
IRFB11N50APBF
型号：IRFB11N50APBF
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.45718 |
| 10+： | ￥12.981592 |
| 100+： | ￥10.433066 |
| 500+： | ￥8.571913 |
| 1000+： | ￥7.102418 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.46