货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.868124 | ¥13.87 |
10 | ¥12.400415 | ¥124.00 |
100 | ¥9.670705 | ¥967.07 |
500 | ¥7.988734 | ¥3994.37 |
1000 | ¥6.306992 | ¥6306.99 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 14.2 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 60 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 340 mg
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0DMTH6009LK3-13
型号:DMTH6009LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.868124 |
10+: | ¥12.400415 |
100+: | ¥9.670705 |
500+: | ¥7.988734 |
1000+: | ¥6.306992 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.87