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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ : 需询价 | ||
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 24 A
漏源电阻 125 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 49 nC
耗散功率 181 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 22 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 156.066 mg
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0FCMT125N65S3
型号:FCMT125N65S3
品牌:ON
供货:锐单
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