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| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10000 | ¥3.655824 | ¥36558.24 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 9.4 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 15.3 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.2 ns
上升时间 4.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.5 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
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0DMTH6016LFDFWQ-13
型号:DMTH6016LFDFWQ-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 10000+: | ¥3.655824 |
货期:7-10天
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