IXTQ60N20T
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- 制造商编号：
- IXTQ60N20T
- 制造商：
- IXYS(艾赛斯.力特)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- DISCMSFT NCHTRENCHGATE-GEN1 TO-3
- 渠道：
- 国内现货自营digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥37.111035 | ￥37.11 |
| 10 | ￥33.342727 | ￥333.43 |
| 100 | ￥27.318441 | ￥2731.84 |
| 500 | ￥23.25539 | ￥11627.69 |
| 1000 | ￥19.613004 | ￥19613.00 |
规格参数
关键信息
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
产品 Power MOSFET Modules
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 200 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 73 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 22 ns
正向跨导（Min） 40 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 33 ns
典型接通延迟时间 22 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 Trench
单位重量 1.600 g
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注
IXTQ60N20T品牌厂家：IXYS
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IXTQ60N20T
数据手册PDF。
IXTQ60N20T
型号：IXTQ60N20T
品牌：IXYS
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥37.111035 |
| 10+： | ￥33.342727 |
| 100+： | ￥27.318441 |
| 500+： | ￥23.25539 |
| 1000+： | ￥19.613004 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥37.11