货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥11.368337 | ¥28420.84 |
5000 | ¥10.906756 | ¥54533.78 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSIV
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 9.7 A
漏源电阻 380 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2.7 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 88.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 0.85 mm
长度 8 mm
宽度 8 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 175 mg
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0TK10V60W,LVQ
型号:TK10V60W,LVQ
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥11.368337 |
5000+: | ¥10.906756 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00