货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥1.751376 | ¥5254.13 |
6000 | ¥1.630592 | ¥9783.55 |
15000 | ¥1.570199 | ¥23552.98 |
30000 | ¥1.509807 | ¥45294.21 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 2.8 ns
典型关闭延迟时间 9.5 ns
典型接通延迟时间 3 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
购物车
0DMT10H072LFDF-7
型号:DMT10H072LFDF-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥1.751376 |
6000+: | ¥1.630592 |
15000+: | ¥1.570199 |
30000+: | ¥1.509807 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00