DMT10H072LFDF-7
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- 制造商编号：
- DMT10H072LFDF-7
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥1.432023 | ￥4296.07 |
| 6000 | ￥1.333263 | ￥7999.58 |
| 15000 | ￥1.283883 | ￥19258.25 |
| 30000 | ￥1.234503 | ￥37035.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.1 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
上升时间 2.8 ns
典型关闭延迟时间 9.5 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMT10H072LFDF-7 同类别型号
注
DMT10H072LFDF-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、DMT10H072LFDF-7
数据手册PDF。
DMT10H072LFDF-7
型号：DMT10H072LFDF-7
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥1.432023 |
| 6000+： | ￥1.333263 |
| 15000+： | ￥1.283883 |
| 30000+： | ￥1.234503 |
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00