搜索

DMT10H072LFDF-7

DIODES(美台)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号:
DMT10H072LFDF-7
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:3000

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
3000 1.751376 5254.13
6000 1.630592 9783.55
15000 1.570199 23552.98
30000 1.509807 45294.21

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 100 V

漏极电流 4 A

漏源电阻 62 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 5.1 nC

耗散功率 1.8 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 3.2 ns

上升时间 2.8 ns

典型关闭延迟时间 9.5 ns

典型接通延迟时间 3 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 65 mg

DMT10H072LFDF-7 相关产品

DMT10H072LFDF-7品牌厂家:DIODES ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购DMT10H072LFDF-7、查询DMT10H072LFDF-7代理商; DMT10H072LFDF-7价格批发咨询客服;这里拥有 DMT10H072LFDF-7中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到DMT10H072LFDF-7 替代型号 、DMT10H072LFDF-7 数据手册PDF

购物车

DMT10H072LFDF-7

锐单logo

型号:DMT10H072LFDF-7

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

3000+: ¥1.751376
6000+: ¥1.630592
15000+: ¥1.570199
30000+: ¥1.509807

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00